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近日，日本功率半導(dǎo)體制造商ROHM公司宣布開發(fā)出額定功率為1700V / 250A的SiC功率模塊，該功率模塊可提供業(yè)界最高水平的可靠性，針對(duì)室外發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)高功率電源等領(lǐng)域應(yīng)用的逆變器和轉(zhuǎn)換器應(yīng)用了進(jìn)行優(yōu)化。

近年來，由于其節(jié)能優(yōu)勢(shì)，SiC在電動(dòng)汽車（EV）和工業(yè)設(shè)備等1200V應(yīng)用中得到了越來越多的應(yīng)用。功率密度更高的趨勢(shì)導(dǎo)致更高的系統(tǒng)電壓，增加了對(duì)1700V產(chǎn)品的需求。然而，當(dāng)前的器件難以實(shí)現(xiàn)所需的可靠性，因此硅基絕緣柵雙極晶體管（IGBT）通常優(yōu)選用于1700V應(yīng)用。

    為此，ROHM能夠在1700V時(shí)實(shí)現(xiàn)高可靠性，同時(shí)保持其1200V SiC產(chǎn)品的節(jié)能性能，實(shí)現(xiàn)了所謂的1700V級(jí)SiC功率模塊的首次商業(yè)化。

    新型BSM250D17P2E004產(chǎn)品引入了一種新的封裝方法和涂層材料，以保護(hù)芯片免受介電擊穿，并抑制漏電流的增加，使模塊能夠通過HV-H3TRB可靠性測(cè)試。例如，在這種高壓、高溫、高濕度反向偏壓測(cè)試期間，當(dāng)在85°C和85％濕度下施加1360V超過1000小時(shí)時(shí)，器件沒有出現(xiàn)故障，不同于傳統(tǒng)IGBT模塊，通常在1000小時(shí)以內(nèi)因電介質(zhì)擊穿而導(dǎo)致失效。為確保最高水平的可靠性，ROHM以不同的間隔測(cè)試了模塊的漏電流，最高阻斷電壓為1700V。

   將ROHM經(jīng)過驗(yàn)證的SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）整合到同一模塊中并優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可使其導(dǎo)通電阻比其他同等級(jí)SiC產(chǎn)品低10％。ROHM表示，這可以在任何應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更好的節(jié)能和減少散熱。

      ROHM的目標(biāo)是繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容，同時(shí)提供評(píng)估板，以便輕松測(cè)試和驗(yàn)證其SiC模塊。