| 閃存價格跌破！從上游供應(yīng)解讀未來走勢 |
| 時間：2018-11-09 來源:管理員 |
NAND Flash價格在經(jīng)歷2年漲價的時期后，2018年回歸理性，截至到10月初，2018年NAND Flash價格指數(shù)已累積下滑高達57%，NAND Flash每GB價格下探至0.1美金，基本已回到了2016年漲價前的價格水平。
近期，即使在傳統(tǒng)的Q3旺季，也依然未能扭轉(zhuǎn)NAND Flash價格下滑的頹勢，中國閃存市場ChinaFlashMarket預(yù)計，受傳統(tǒng)淡季需求減弱的影響，Q4 NAND Flash價格可能依然持續(xù)下滑的趨勢。
2018年以來，由于NAND Flash價格持續(xù)下滑且跌幅超乎預(yù)期，相較于2016年和2017年NAND Flash漲價時期，部分存儲產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)營收和獲利均受到一定的影響，再加上國際原廠三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、SK海力士等不僅3D技術(shù)快速迭代，而且加碼投資新建工廠，同時中國三大存儲基地之一的武漢存儲基地已進入投產(chǎn)初期階段。在多方因素影響下，部分市場業(yè)內(nèi)人士紛紛看衰NAND Flash產(chǎn)業(yè)。中國閃存市場ChinaFlashMarket認為，NAND跌價是價格沖高回落的自然現(xiàn)象，不必過于擔(dān)憂。
NAND Flash價格走勢是由市場供需決定的，2016年和2017年由于處于原廠2D NAND向3D NAND切換的空窗期，使得NAND Flash供應(yīng)減少，而需求端智能型手機和SSD容量需求依然在增長，導(dǎo)致市場供不應(yīng)求，同時NAND Flash價漲一倍多。2018年原廠不斷擴大64層/72層3D NAND產(chǎn)出量，目前三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等3D NAND占比已達到80%，美光甚至可以達到90%，3D NAND產(chǎn)能增加，導(dǎo)致市場供過于求。
中國閃存市場ChinaFlashMarket進一步分析，以目前主流的64層3D NAND技術(shù)為例，一片Wafer晶圓（12英寸）大約可以切割出1000顆256Gbit的Die。相較于1znm工藝2D技術(shù)所切割出的600多顆128Gbit的Die，不僅容量翻倍，單顆Die的總數(shù)更是增加了60%，這是導(dǎo)致NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格下滑的主要因素。
展望2019年，在2018下半年三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾、SK海力士等均已發(fā)布了其新一代96層3D NAND技術(shù)，且三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光等已開始量產(chǎn)。根據(jù)各原廠技術(shù)規(guī)劃，預(yù)計96層3D NAND將在2019上半年規(guī)�；慨a(chǎn)。據(jù)了解，96層3D NAND由于初期良率較低，相較于64層3D NAND沒有成本優(yōu)勢，但隨著良率的不斷提高，成本優(yōu)勢將逐漸顯現(xiàn)，中國閃存市場ChinaFlashMarket預(yù)計2019年NAND Flash價格將會進一步下滑。
2018年新一輪NAND擴產(chǎn)開始，三星除了FAB18這個大型工廠外，還開始新建西安工廠二期工程，東芝除了新工廠Fab6開始投產(chǎn)96層3D NAND，又新建Fab 7，SK海力士M15和英特爾大連二期工廠都開始投產(chǎn)96層3D NAND，還有美光新建的Fab10三期工廠。另外，長江存儲武漢基地也開始逐步生產(chǎn)，滿載產(chǎn)能可達到15萬片/月。
根據(jù)規(guī)劃，各家原廠新工廠都將在2019年陸續(xù)提高生產(chǎn)量。NAND Flash產(chǎn)能大幅度增加，一是填補2016年和2017年市場供應(yīng)的缺口，二是為了新一代96層3D技術(shù)投產(chǎn)，滿足智能型手機和SSD對大容量不斷增長的需求。
反觀DRAM市場，相較于NAND Flash產(chǎn)業(yè)不斷增加的產(chǎn)能，三星、美光、SK海力士三大原廠對DRAM增產(chǎn)持保守態(tài)度，三星、美光、SK海力士受惠于兩年持續(xù)走高的DRAM價格，營收和獲利持續(xù)走高，所以各家都不急于擴建DRAM工廠，以免產(chǎn)能過剩導(dǎo)致價格慘跌，影響獲利。市場數(shù)據(jù)反饋DRAM在服務(wù)器、PC和智能手機的應(yīng)用沒有太大的增幅，而DRAM工藝從2017年2xnm提升到2018年1xnm，增加40%的產(chǎn)能。三星原定每月增產(chǎn)DRAM計劃已延期，同時為避免DRAM價格下滑，計劃下修2019年2成的DRAM投資額，SK海力士也推遲了DRAM擴產(chǎn)計劃。但是DRAM的壓力還是與日俱增，形成DRAM堰塞湖。
NAND和DRAM兩行情與市場需求有關(guān)，首先DRAM在智能型手機上的平均LPDDR容量3.2GB，而NAND Flash平均需求則超過80GB；其次PC出貨持續(xù)萎縮，又遇英特爾處理器缺貨，DRAM標配4GB，高配也僅16GB，而PC搭載的SSD容量則在240GB以上，第三：在服務(wù)器市場，IBM、百度、阿里、華為等正在部署英特爾傲騰技術(shù)和三星Z-NAND來滿足大數(shù)據(jù)存儲需求，取代部分DRAM的應(yīng)用。Optane內(nèi)存雖然有“內(nèi)存”之名，但它并非是我們通常理解的DRAM內(nèi)存。它主要作用是作為緩存設(shè)備對硬盤（包括HDD和SSD）進行加速
3D XPoint的優(yōu)勢。按官方數(shù)據(jù)，3D XPoint的讀寫速度和壽命均為NAND Flash的1000倍，延遲是NAND Flash的千分之一，DRAM的10倍；存儲密度則是內(nèi)存的10倍。
在國際原廠3D技術(shù)和產(chǎn)能增加的推動下，2018年NAND Flash存儲密度預(yù)計將較2017年增長42%，達到2300億GB當(dāng)量。需求端，2018年全球智能型手機出貨將達14.6億臺，高端手機蘋果、三星等旗艦機搭載Flash容量由256GB向512GB提升，華為、OPPO、VIVO、小米等從64GB/128GB向128GB/256GB，甚至512GB容量轉(zhuǎn)移，以手機為主的嵌入式產(chǎn)品消耗了43%的NAND產(chǎn)能。
SSD在消費類、數(shù)據(jù)中心以及行業(yè)應(yīng)用需求強勁，2018年全球SSD的出貨量將達1.92億臺，相較于2017年增長22%。全球SSD市場所消耗的產(chǎn)能已從2016年的38%上升到43%，尤其是企業(yè)級SSD，2018年平均容量已經(jīng)達到2TB/臺，僅企業(yè)級市場就消耗了25%的NAND Flash產(chǎn)能。2018年SSD與嵌入式產(chǎn)品合計消耗85%以上的NAND Flash產(chǎn)能，2019年仍然是主力需求市場。
SSD搶占的是HDD市場，SSD價格下滑是其成長的最大動力，尤其是在消費類市場，2016年和2017年因為NAND Flash缺貨，SSD價格大幅上漲，同時也抑制了市場需求的增長。2018年以來SSD價格持續(xù)下滑，目前價格已跌破2016年所創(chuàng)下的歷史低點，其中240GB和480GB價格在2018年累積跌幅分別達45%、52%，部分240GB價格已跌破30美金，也正因為價格的下滑大大的刺激了市場需求向更大容量的240GB、480GB、960GB普及。
在智能型手機和SSD需求帶動下，NAND Flash產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)健康的發(fā)展趨勢，而且隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、汽車電子等領(lǐng)域的崛起，將會產(chǎn)生更多的數(shù)據(jù)量，且要求高速、復(fù)雜的處理數(shù)據(jù)，對NAND Flash的需求不斷增加。
當(dāng)下NAND Flash價格下滑，更多的是對企業(yè)綜合實力的考驗，也會加速淘汰沒有競爭力的企業(yè)，資源會向有競爭力的公司匯聚，2008年市場惡劣的時候，市場存儲企業(yè)從幾百家淘汰到幾十家，現(xiàn)在的情況也是類似。
“最重要的還是技術(shù)創(chuàng)新”這是企業(yè)必須一直具備的精神。中國作為存儲產(chǎn)業(yè)重要的應(yīng)用市場，需求多樣而多變，通過提高企業(yè)自身自主創(chuàng)新技術(shù)，充分理解本土客戶需求，厚積薄發(fā)，實現(xiàn)企業(yè)的成長。
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