| 中國(guó)科研團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新進(jìn)展 |
| 時(shí)間：2024-09-29 來源:管理員 |
近日，山西師范大學(xué)許小紅教授、王芳教授與中科院化學(xué)所薛丁江研究員共同合作，報(bào)道了一種自下而上合成CrSbSe3納米帶的模板選擇策略，并實(shí)現(xiàn)了一維(1D)鐵磁CrSbSe3納米帶的可控制備，納米帶表現(xiàn)出典型的半導(dǎo)體行為和鐵磁性，證實(shí)了1D CrSbSe3半導(dǎo)體的本征鐵磁性。 隨著云計(jì)算技術(shù)的興起，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的規(guī)模和復(fù)雜性達(dá)到了前所未有的高度，并對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了越來越嚴(yán)格的要求。磁性半導(dǎo)體作為一類新的自旋電子材料，具有同步實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算、信息處理和存儲(chǔ)的潛力。 因此，低維磁性半導(dǎo)體已成為納米級(jí)自旋電子器件構(gòu)建的必然趨勢(shì)，旨在使器件尺寸最小化，實(shí)現(xiàn)高密度集成。然而，實(shí)現(xiàn)這種低維磁性半導(dǎo)體仍然面臨諸多困難，特別是對(duì)于具有更高磁晶各向異性、更大長(zhǎng)徑比和更大納米自旋電子器件潛力的1D鐵磁半導(dǎo)體。 CrSbSe3作為唯一一種經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證同時(shí)具有鐵磁和半導(dǎo)體特性的1D材料，在探究其特性和應(yīng)用方面具有重要意義。然而，到目前為止，CrSbSe3納米晶體僅能通過自上而下的剝離方法獲得。 基于此，該團(tuán)隊(duì)報(bào)道了一種自下而上的溶液法用于合成CrSbSe3納米帶。他們通過對(duì)比潛在的二元模板和三元目標(biāo)產(chǎn)物的形成能，選擇了具有1D晶體結(jié)構(gòu)的Sb2Se3作為模板，將Sb2Se3中一半Sb原子替換為Cr原子，促進(jìn)Sb2Se3向CrSbSe3晶相轉(zhuǎn)化。所制備的CrSbSe3納米帶長(zhǎng)度約為5μm，寬度為80 ~ 120 nm，厚度約為5 nm，并在低于71 K的居里溫度下表現(xiàn)出軟磁行為。 通過對(duì)CrSbSe3單根納米帶進(jìn)行磁電測(cè)試，證明其典型的半導(dǎo)體行為和鐵磁性，進(jìn)一步證實(shí)了1D CrSbSe3半導(dǎo)體的本征鐵磁性。該工作提供了一種新穎的自下而上模板合成三元一維納米帶的方法，為一維鐵磁半導(dǎo)體的發(fā)展與應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。 |
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