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1.昕感科技順利完成晶圓廠首批投片

9月21日消息，昕感科技官方表示已順利完成晶圓廠首批投片。

公開資料顯示，昕感科技聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新與產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，其江陰晶圓廠于2023年8月土建開工，2024年8月設(shè)備正式Move-in。

另據(jù)新華網(wǎng)江蘇頻道消息，昕感科技6英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目總投資20億元，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、5G通信等領(lǐng)域，滿載后年產(chǎn)能將達(dá)100萬片。

今年6月行業(yè)消息顯示，昕感科技第三代半導(dǎo)體功率模塊研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約落戶無錫錫東新城。錫東新城消息顯示，此次簽約的項(xiàng)目總投資超10億元，主要建設(shè)車規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體功率模塊封裝產(chǎn)線，可同時(shí)覆蓋汽車主驅(qū)、超充樁、光伏、工業(yè)等應(yīng)用場(chǎng)景。項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年投產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)產(chǎn)能約129萬只/年，產(chǎn)值超15億元/年。

2.國內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工！

9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱“富加鎵業(yè)”）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。氧化鎵憑借其性能與成本優(yōu)勢(shì)，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料，近年來熱度不斷上漲，頻頻傳出各類利好消息。

公開資料顯示，富加鎵業(yè)成立于2019年12月，致力于超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，主要從事氧化鎵單晶材料生長、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售工作，產(chǎn)品主要應(yīng)用于功率器件、微波射頻及光電探測(cè)等領(lǐng)域。

據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國內(nèi)目前唯一一家同時(shí)具備6英寸單晶生長及外延的公司，開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。

3.投資4.32億元，這座6英寸碳化硅器件廠落成

9月4日，RIR Power Electronics Limited宣布，公司此前投資51億盧比（約合4.32億人民幣）在印度奧里薩邦建設(shè)的碳化硅半導(dǎo)體制造工廠已正式落成。

資料顯示，RIR是美國Silicon Power Group在印度的子公司，企業(yè)主要從事電力電子元件的生產(chǎn)。RIR的產(chǎn)品組合包括低功率至高功率器件和IGBT模塊，涵蓋工業(yè)、電力、鐵路、可再生能源和國防等領(lǐng)域。

據(jù)悉，2023年7月，Silicon Power Group宣布在印度奧里薩邦建立一個(gè)碳化硅工廠，該工廠將用于生產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓。投資通過該集團(tuán)的印度子公司RIR進(jìn)行。2023年10月，RIR獲得奧里薩邦政府的批準(zhǔn)，投資51.08億印度盧比，在奧里薩邦建設(shè)這座碳化硅器件制造和封裝工廠。工廠預(yù)計(jì)將于2025年全面投入運(yùn)營。

值的一提的是，除了RIR，今年6月，總部位于印度欽奈的SiCSem Private Limited宣布，計(jì)劃也在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測(cè)試和封裝（ATMP）工廠。

6月15日，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個(gè)項(xiàng)目是在IIT-BBS實(shí)現(xiàn)SiC晶體生長的本土化。這一項(xiàng)目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預(yù)估耗資4.5億盧比（折合人民幣約3800萬元）。