| 中國功率半導體的進擊之路 |
| 時間：2023-12-22 來源:管理員 |
去年爆發(fā)的芯片供應鏈緊張，牽動著下游車商們的神經(jīng)，并由此引發(fā)了聲勢浩蕩的國產(chǎn)替代浪潮。功率半導體發(fā)揮電能轉(zhuǎn)換的作用，是新能源車最重要的芯片部件之一，是國產(chǎn)替代要啃下的一塊硬骨頭，也是國產(chǎn)化的制高點。一年過去了，情況如何？
遠川科技評論長期關注國產(chǎn)功率半導體行業(yè)動態(tài)：
2020年10月發(fā)布的《“廉頗”華潤微》一文，回顧了國內(nèi)功率IDM大廠華潤微前身742廠和華晶先后承擔六五工程、908工程并轉(zhuǎn)型的過程，尤其注意到了國營企業(yè)在行業(yè)人才培養(yǎng)中的奠基者與發(fā)源地作用。
2021年3月發(fā)布的《汽車芯片短缺，元兇是誰？》一文，將2021年開年以來的汽車芯片短缺問題，歸因于車商和設計廠把風險集中在了臺積電代工這一個籃子里。
經(jīng)歷最近兩三年的狂飆突進，中國功率半導體業(yè)已取得不小的進步，本文主要分為三個部分進行復盤：
1.產(chǎn)能建設的多個維度； 2.汽車電子的機遇； 3.第三代半導體的兩大支柱。
01 產(chǎn)能建設的多個維度
說到產(chǎn)能，繞不過的一點就是8轉(zhuǎn)12英寸的趨勢。8英寸晶圓主要用于功率器件、模擬IC、顯示驅(qū)動和傳感器等產(chǎn)品，涵蓋汽車電子、工控/醫(yī)療、消費電子等領域。隨著芯片制造技術的進步，8英寸向更大尺寸的12英寸轉(zhuǎn)產(chǎn)成為趨勢，根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020至2022年12英寸晶圓廠的新建數(shù)量是8英寸的兩倍。
一方面，12英寸單位成本更低。一片12英寸晶圓產(chǎn)出晶粒數(shù)是8 英寸的2.25倍，成熟12英寸片工藝生產(chǎn)功率半導體產(chǎn)品整體來看單位成本僅為 8英寸的70%-80%，硅片直徑越大規(guī)模效應越顯著。
另一方面，12 英寸晶圓生產(chǎn)線已經(jīng)基本實現(xiàn)了全自動化，需要人工參與的步驟很少，生產(chǎn)效率和良率都更高。
但是，建設12英寸面臨兩個難題：
一、投資成本高昂。相比8英寸，12英寸對代工廠的清潔室清潔度以及精密度要求更高，設備更昂貴，這也意味著需要支付更高的折舊費用。
二、轉(zhuǎn)向12英寸的收益仍待驗證。芯片產(chǎn)線需要高端技能工程師參與和大量資本投入，未來收益的不確定性會給項目帶來一定風險。
8英寸顯然是更穩(wěn)妥的選擇。作為成熟制程，早年建的8英寸產(chǎn)線設備已經(jīng)基本折舊完畢，運行成本極低；相比于轉(zhuǎn)向投資造價更高且需要大量人力、時間驗證的12英寸產(chǎn)線，守住8英寸是一個更好的選擇。
尤其對于國內(nèi)市場而言，功率半導體工廠應該綜合平衡好8英寸和12英寸，各發(fā)揮所長，實現(xiàn)技術和成本的平穩(wěn)過渡。
在12英寸產(chǎn)線分布上，數(shù)家國內(nèi)廠商都已實現(xiàn)投產(chǎn)，表現(xiàn)參差不齊，一些產(chǎn)線毛利率較低，遠低于成熟的8英寸產(chǎn)線�？梢姡瑖鴥�(nèi)玩家一開始要能hold住12英寸產(chǎn)線并非易事，夯實鞏固8英寸的優(yōu)勢，是一個市場占優(yōu)的策略。
華潤微在擴產(chǎn)上的動作就很具備代表性。
作為國內(nèi)最大的功率半導體IDM公司，華潤微的募投計劃著眼于無錫和重慶兩地8英寸產(chǎn)線的技改，上市募集的30億元預計有一半投入8英寸BCD 工藝平臺技術水平提升和MEMS工藝平臺建設項目，每月可增加BCD和MEMS工藝產(chǎn)能約1.6萬片。
而12英寸產(chǎn)線方面，華潤微在重慶投資建設的12英寸產(chǎn)線得到了大基金的鼎力支持，預計2022下半年開始貢獻產(chǎn)能，屆時將形成月產(chǎn)3萬片的晶圓生產(chǎn)能力，并配套建設12英寸外延及薄片工藝能力，未來將全部用于生產(chǎn)自有功率器件產(chǎn)品。華潤微的長期目標，是將自有產(chǎn)品的營收占比提升到60%及以上，而目前這一比重約在45%，功率器件將會成為公司拉動自有產(chǎn)品營收的主要功臣。
從華潤微的案例可知，“8英寸技改+12英寸擴產(chǎn)”是半導體行業(yè)未來發(fā)展的必經(jīng)之路。
華潤微的8英寸產(chǎn)線已建成多年，運行良好，技改投入相對較小，擴產(chǎn)更為穩(wěn)健，需要承擔的折舊攤銷成本也低，使得公司產(chǎn)品在市場上更具競爭力。
同時，合理的人員結構和龐大的生產(chǎn)、研發(fā)隊伍，保證能夠滿足12英寸產(chǎn)線建設所需，而不至于大干快上使得人力被稀釋，最后導致老產(chǎn)線良率下滑。
此外，產(chǎn)能建設經(jīng)常被人忽略的有兩點：
一點是構建較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，以充分降低成本，保證產(chǎn)能緊缺時的優(yōu)勢，尤其是考慮到電動化革命下對于功率半導體的需求十分旺盛，倚賴外包不能救急。華潤微在這方面做了充分的考量，新產(chǎn)線投資于外延、封裝測試等其他產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，能夠提高產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同性、安全性和經(jīng)濟性。
另外一點，是8轉(zhuǎn)12絕不只是晶圓尺寸大了，機器多了，而是研發(fā)實力隨之增加，對于技術的投入也成倍增長。
華潤微在12英寸產(chǎn)線上的擴產(chǎn)，就格外強調(diào)先進技術：
一個是薄片工藝，對于IGBT等核心功率半導體而言，薄片能做到多少是一個核心衡量指標，直接決定了功耗、散熱等核心能源效率指標；還有一個是先進封裝測試，隨著摩爾定律的發(fā)展?jié)u趨緩慢，先進封裝成為提高PPA表現(xiàn)的一個主流技術方案，但如何高效、準確地測試先進封裝方案成為一個核心難題，華潤微對此的重視，在功率半導體廠商中是十分少見的。
所以，產(chǎn)能建設，不能只是8轉(zhuǎn)12，表面上的升級，如果沒有同時伴隨研發(fā)生產(chǎn)隊伍的建設、完整產(chǎn)業(yè)鏈的構建，與技術上的升維和追趕，便不能顯著提高產(chǎn)品毛利率和市場表現(xiàn)。
02 汽車電子的機遇
產(chǎn)能建設之后，功率半導體的第二個看點，就是汽車電子了。
自《巴黎協(xié)定》簽署以來，各國政府紛紛出臺“碳中和”計劃，并大力推動新能源相關產(chǎn)業(yè)的發(fā)展；此外，動力電池技術的突破，也為初迎曙光的新能源車企鋪平了道路。
政策扶持加上技術進步，猶如“好馬配好刀”，新能源車迎來井噴式上量：2021年，全球新能源汽車銷量達約675萬輛，同比增長108%，在汽車市場的滲透率達到8.3%。
隨之而來的，是新能源車部件價值量和市場規(guī)模的快速提升。
Yole報告指出，汽車半導體的價值將從2020年的344億美元增長至2026年的785億美元，年復合增長率達14.75%；同時，預計到2026年，一輛汽車所擁有的半導體的平均價值將從現(xiàn)在的450美元增長至700美元，而功率半導體的平均價值，更是將增加5.5倍！這個增長幅度，是前所未有的。
2020-2035全球汽車C.A.S.E市場規(guī)模及預測
再往細看，作為電驅(qū)系統(tǒng)核心部件的IGBT，更是電氣化的關鍵：IGBT約占新能源汽車電控系統(tǒng)成本的37%，而電控系統(tǒng)占整車成本的15%~20%——由此可以算出，IGBT占到新能源汽車整車成本的5.6%~7.4%；同時，新能源汽車的動力性能越好，所需要的IGBT組件數(shù)量也就越多——從A00到B型車，其單車主驅(qū)IGBT價值從650元上升至2275元以上。
車規(guī)半導體領域，以IGBT為代表的功率半導體是兵家必爭之地，各公司競相布局。
做功率半導體的公司一抓一大把，但要進入汽車供應鏈，卻沒那么簡單。
車規(guī)半導體要求高可靠性，不僅要滿足高溫、低溫等復雜惡劣的工作環(huán)境，還要在至少15年的壽命中保持極低的失效率，因此驗證門檻高、周期長。技術積淀深厚、合作日久的國際大廠英飛凌等品牌深受整車廠信任。
但供應格局在2021年的缺芯潮中悄然改變。全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈陷入短缺，英飛凌產(chǎn)能有限，擴產(chǎn)謹慎，而且價格高昂，于是國產(chǎn)公司一把被推上了臺面，技術好、價格低、定義準、迭代快的企業(yè)更受歡迎，國產(chǎn)替代加速。
那么，什么樣的功率半導體公司能滿足嗷嗷待哺的國產(chǎn)車廠呢？
IDM當仁不讓。
鑒于車規(guī)產(chǎn)品對性能指標、安全性、可靠性、一致性的要求之高，充分掌握產(chǎn)品know-how 的公司才能獲得車廠的青睞。
在這一點上，IDM相比Fabless具有天然的優(yōu)勢。IDM模式下，廠商完成從設計、制造到封測的全流程，具備強大的垂直整合能力，know-how掌握在自己手中，避免哪一環(huán)節(jié)出問題還找不到原因、找到原因還解決不了的麻煩。
同時，IDM模式還能夠更好地整合上下游資源，降低成本，并加快產(chǎn)品技術迭代速度。
國外排得上號的功率半導體龍頭基本都是IDM，其優(yōu)勢可見一斑。
而國內(nèi)前十大功率半導體廠商中，成熟的IDM廠商只有華潤微一家。在國產(chǎn)替代加速的當下，華潤微憑借技術、成本、產(chǎn)能優(yōu)勢，國內(nèi)功率半導體行業(yè)罕有其匹。
首先是在其他領域中高端產(chǎn)品的經(jīng)驗，為華潤微在汽車領域的表現(xiàn)奠定了基礎。
一般為人所忽略的是中高端MOSFET，其實國內(nèi)市場仍是國外廠商占據(jù)主導。華潤微在這方面著力甚大，在高端電源（如基站電源）、逆變器、通信設備等要求嚴苛的產(chǎn)品場景中站穩(wěn)了腳跟，實現(xiàn)穩(wěn)定出貨。在這些領域表現(xiàn)優(yōu)越，也就意味著有能力在汽車領域站穩(wěn)腳跟。在新能源汽車行業(yè)，充電樁等汽車充電場景需求大量的中高端MOSFET，其中的增長空間巨大。
然后是IDM的三大優(yōu)勢：成本、產(chǎn)能和工藝平臺。
在成本方面，華潤微產(chǎn)線折舊完畢，產(chǎn)品有更高性價比。2條8英寸生產(chǎn)線均于2011年規(guī)模生產(chǎn)，按折舊年限8年算，已經(jīng)在2019年折舊完畢；剩余3條6英寸投產(chǎn)更早，也已折舊完畢。近四年來，華潤微折舊營收占比持續(xù)下降，產(chǎn)品性價比提升。
在產(chǎn)能方面，產(chǎn)能爬不上坡，規(guī)模效應不顯著，可變成本就降不下來。對比國內(nèi)另外兩家主要的車規(guī)級IGBT廠商，截至2021年底，比亞迪半導體只有1條6英寸產(chǎn)線，時代電氣也只有2條，而華潤微有5條產(chǎn)線，其中包括了3條6英寸產(chǎn)線和2條8英寸產(chǎn)線，6英寸總月產(chǎn)能約23萬片，8英寸總月產(chǎn)能約12萬片，并且今年將有一條預計產(chǎn)能3萬片/月的12英寸產(chǎn)線投產(chǎn)，產(chǎn)能優(yōu)勢明顯。
在工藝平臺方面，華潤微具有完備的 BCD 工藝技術平臺，電壓覆蓋范圍寬（5700V），擁有高密、高壓和SOI基三種類型的 BCD 技術，在工藝節(jié)點上與全球主流晶圓制造廠處于相當水平。2021年底，還成功推出了0.18微米中高壓車規(guī)級BCD工藝技術，進展迅速。
最后，華潤微在汽車電子上已經(jīng)完成了三步走：快速布局、加強認證和爭取大主機廠客戶。
在布局方面，華潤微從外延并購與內(nèi)部研發(fā)兩方向切入汽車電子領域。一方面，華潤微收購杰群電子70%股權，布局汽車級電子封裝，另一方面，華潤微引進了專業(yè)人才，在已有技術積累的基礎上繼續(xù)進行相關產(chǎn)品研發(fā)。兩相并舉，華潤微可以說將上市IDM平臺的優(yōu)勢發(fā)揮到了極致。
在認證方面，車規(guī)認證是不容忽略的，啃下國際市場上最硬的骨頭，也就意味著真正撬動了市場的杠桿。華潤微的功率器件事業(yè)群以國際汽車大廠審核為契機，參照汽車業(yè)的項目流程，推進汽車電子體系建設，進行產(chǎn)品立項研發(fā)及AEC-Q101體系考核，完善車規(guī)級產(chǎn)品體系與供應能力。
車規(guī)認證的內(nèi)功，在中國半導體業(yè)界往往被忽略。在缺芯的大背景下，一些工廠拿著消費級的芯片往車上裝，雖能賺一些快錢，但不能長久。華潤微在車規(guī)認證上的重視和大舉投入，是值得學習的。
在大的主機客戶方面，華潤微通過了數(shù)家車廠的驗證，部分產(chǎn)品已進入整車應用，比如獲得了比亞迪等頭部客戶的車規(guī)級IGBT訂單。
03 第三代半導體的兩大支柱
第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，和傳統(tǒng)硅材料相比，主要區(qū)別在于禁帶寬度。
禁帶寬度是判斷一種半導體材料擊穿電壓高低的重要指標，禁帶寬度越大，器件耐高壓能力越強。以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料往往具備更寬的禁帶寬度，因此也被稱為寬禁帶半導體材料。
第三代半導體器件與普通的硅基、單晶材料器件相比，優(yōu)勢體現(xiàn)在： 第一，阻抗更低，可以縮小產(chǎn)品體積，提高轉(zhuǎn)換效率； 第二，頻率更高，降低能量損耗，工作頻率達硅基器件10倍，提升工作效率； 第三，熱導更強，可以承受更高溫度，工作溫度達硅基器件4倍，拓展工作環(huán)境。
目前，第三代半導體已經(jīng)成為高性能器件廠商的最佳選擇，且SiC、GaN作為第三代半導體的代表材料，已經(jīng)在電動車高壓充電和基站功放場景中率先得到應用。
在SiC的實際應用場景上，電動車高壓充電應用已經(jīng)走在前面。
里程焦慮是車主在新能源車與燃油車中做出選擇的關鍵因素。大部分新能源汽車的續(xù)航里程低于600公里，難以滿足城際間的長里程行駛需求。隨著技術的發(fā)展，更強動力性能和快充性能成為車企迫切的追求目標，超級快充和功率提升促使電動汽車更快地更新?lián)Q代。而市面上提升快充效率的方向有兩個：一是高電流，電壓不變提高電流；二是高電壓，電流不變提高電壓。
高電壓模式是車廠普遍采用的模式，除減少能耗、提高續(xù)航里程外，還有減少重量、節(jié)省空間等優(yōu)點。世界上各大車企都有著800V產(chǎn)品的規(guī)劃。如保時捷Taycan是第一臺量產(chǎn)的800V架構電動車，小鵬也推出800V平臺下的400kW快充等。
除此之外，高電壓可以滿足長時間快充，其滿足最大功率充電的SoC區(qū)間更廣，而高電流則無法滿足。因此相較于提高電流，高電壓是未來發(fā)展趨勢，車企最終將會走向800V高壓充電的技術路線。
高電壓從構想到落地，關鍵材料SiC站上舞臺。
相較于單晶Si器件，SiC器件擁有多項優(yōu)勢：擊穿場強是硅的十倍，在更小的裸芯片面積上的阻斷電壓比硅更高，目前的SiC已可支持高達1700 V的MOFSET阻斷電壓，而硅基超級結MOSFET通常在900 V以下。
與單晶硅相比，SiC有著更低的導通電阻和斷態(tài)漏電流，因此有助于提高效率。此外，SiC具備三倍高的導熱率，并且能夠承受更高的芯片溫度，從而降低了散熱要求。
因此，SiC器件成為高電壓充電技術不可或缺的一環(huán)。
再說到GaN的應用場景，其與5G基站功放展開了完美的結合。
5G技術的普及，對與之配套的5G基站功率性能提出考驗，這一問題被GaN器件輕易化解。
GaN器件能夠提供更高的功率和帶寬，并且GaN芯片每年在功率密度和封裝方面都有所進展，能比較好地適用于大規(guī)模MIMO技術。而運用該材料的GaN HEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為5G宏基站功率放大器的重要技術。目前在宏基站上GaN主要采用SiC襯底（GaN on SiC），由于SiC作為襯底材料和GaN的晶格失配率和熱失配率較小，同時熱導率高，更容易生長高質(zhì)量的GaN外延層，能滿足宏基站高功率的應用。
正是由于GaN與MIMO技術的有機結合，使得功放效率有了質(zhì)的提升。據(jù)了解，5G基站功率比4G基站高出4700W，增長約67%。由于5G基站需要采用Massive MIMO等技術，5G基站的AAU輸出功率由4G的40W~80W上升到200W甚至更高，同時由于處理的數(shù)據(jù)量大幅度增加，BBU的功率也大幅度提升。
第三代半導體器件雖然好用，但阻礙其大規(guī)模應用的最大的痛點就是價格太高，動輒達到發(fā)揮相同作用的硅基器件的數(shù)倍以上。出于成本考慮，第三代半導體產(chǎn)品上車率并不高。
具體來說，SiC之難主要難在襯底制備。
首先，高純度碳粉提純工藝要求高，合成配方技術需要長時間積累； 其次，單晶生長緩慢，仔晶繁殖速度慢，碳化硅襯底成本居高不下； 再次，碳化硅硬度高、脆性高，加工時間長且產(chǎn)品良率低； 最后，高精度數(shù)字仿真技術研發(fā)成本高，目前大部分廠商仿真水平低。
除了SiC成本高企之外，GaN也有不小的制備難度：
在匹配方面，在GaN上做外延層比在硅MOSFET上更復雜，并且外延層對器件的動靜態(tài)電性能的影響更明顯。不同的廠商使用不同的功率GaN器件，每種方案都有不同的柵極驅(qū)動器、電流崩塌效應和封裝，造成匹配問題。
在制造方面，因為氮化鎵和襯底材料硅的晶格匹配度差，生長時會出現(xiàn)崩塌而導致良品率低。在設計方面，氮化鎵晶體管的柵極需要驅(qū)動才能做到正常的開關，而氮化鎵的柵極電壓閾值和最大電壓都很小，所以非常容易誤開啟，在設計上有非常大的難度。
那么，在成本高企，制造困難的情況之下，國內(nèi)應該采取什么樣的模式來發(fā)展第三代半導體？
就快速出貨而言，似乎是Fabless。由于國內(nèi)在襯底外延等環(huán)節(jié)上都落后，所以采用Fabless模式的廠商反而更有優(yōu)勢，因為可以找中國臺灣和國外的代工。
但是，就長期競爭力而言，還是IDM。
為什么？原因很簡單，舉個例子，大陸很多射頻PA領域公司都找臺灣代工，但是毛利率卻很低，比如唯捷創(chuàng)芯：唯捷創(chuàng)芯的主營業(yè)務——4G PA的毛利率只有20%。背后原因就是設計公司對代工端和封測端沒有議價權。作為Fabless公司，唯捷創(chuàng)芯產(chǎn)品的原料成本劣勢不可避免地被攥在了晶圓代工廠的手里，PA用GaAs（砷化鎵）工藝，晶圓主要從中國臺灣地區(qū)廠商穩(wěn)懋采購，占了總采購成本的四分之一以上。
相較而言，IDM模式在自主性等方面就存在著超強的優(yōu)越性了。
華潤微布局第三代化合物半導體的模式與硅基器件一脈相承，仍然采用IDM模式。
第三代半導體采用IDM的關鍵因素，主要是將對成本影響最顯著的襯底制備、代工端內(nèi)化進公司的產(chǎn)線，吃透know-how，降低成本。器件成本越低，越接近替代硅基器件的甜蜜點，上車放量也就指日可待。
沿著這個思路，華潤微為中國功率半導體業(yè)界做出了IDM的一系列示范動作。
在碳化硅上，華潤微在專注于自身第三代半導體材料研發(fā)運用同時，積極布局SiC上下游產(chǎn)業(yè)鏈。公司出資設立的潤科基金圍繞產(chǎn)業(yè)鏈上下游進行投資，參股公司包括SiC晶片及設備公司，例如國內(nèi)SiC襯底領先廠商天科合達和具備完整碳化硅外延晶片生產(chǎn)線的瀚天天成，以更好地保障SiC產(chǎn)品供應鏈。
有了產(chǎn)業(yè)鏈的保證，華潤微在碳化硅產(chǎn)品上對標科銳、多代并舉、多個場景發(fā)力。
在產(chǎn)品性能上，華潤微的SiC JBS產(chǎn)品性能略優(yōu)于科銳最新6代產(chǎn)品水平，面積縮小了5%。
在產(chǎn)品迭代上，華潤微多款6英寸第一代650V、1200V SiC JBS產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，2021年銷售額達650萬元；第二代產(chǎn)品性能達到業(yè)界先進水平，多款產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)；第四代產(chǎn)品實現(xiàn)技術突破，并完成了產(chǎn)品化。
在應用場景上，華潤微瞄準了充電樁、太陽能逆變器、通信電源等多個場景，均有出貨。
在氮化鎵方面，華潤微以6英寸產(chǎn)線為基礎，充分利用8英寸產(chǎn)線的技術優(yōu)勢，采用自研工藝及封裝技術，從襯底材料、器件設計、制造工藝，封裝工藝全方位推進硅基GaN的研發(fā)工作。
同時，華潤微在今年5月收購了芯冠科技34.56%股份，后者專注于硅基氮化鎵外延材料及電力電子器件的研發(fā)、設計、生產(chǎn)與銷售，也是一個IDM的典型。
內(nèi)外兩手抓，華潤微基于氮化鎵行業(yè)較為零散的結構，在市場開拓上采取了靈活的姿態(tài)：
一是采用簡單易用的驅(qū)動，設計高可靠的產(chǎn)品；
二是與業(yè)內(nèi)下游廠商廣泛合作，在新能源汽車車載充電機、數(shù)據(jù)中心服務器電源和高端電機驅(qū)動等場景都有開發(fā)產(chǎn)品。華潤微2021年報顯示，其GaN產(chǎn)品面板級封裝技術研發(fā)已完成小批量量產(chǎn)，交貨量大于50K。
04 尾聲
對于中國功率半導體而言，人的因素永遠是最關鍵的。
在此前《“廉頗”華潤微》一文中，我們詳細敘述了華潤微前身華晶的發(fā)展歷史，指出其寶貴的歷史文化傳承和人才外溢，成就了長三角的功率半導體業(yè)。
現(xiàn)在，作為科創(chuàng)板首屈一指的功率IDM，華潤微在產(chǎn)能建設、汽車電子和第三代半導體三大領域都有著亮眼的表現(xiàn)，這與掌舵者和重視人才的企業(yè)文化密不可分。
今年3月，李虹接棒華潤微總裁。作為國內(nèi)功率半導體業(yè)界少見的博士管理者，他投身半導體行業(yè)近30年，積累了豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，推動了多項技術發(fā)展與產(chǎn)業(yè)化，有著豐富的研發(fā)管理經(jīng)驗。
有深諳技術要領的掌舵者，更有一批勇攀高峰的精兵強將。
華潤微每年舉辦一屆科技大會，至今已辦四屆，表彰優(yōu)秀科技工作者和優(yōu)秀科技成果，對青年科研工作者設有專門獎項。正是一批批技術骨干和領軍人物的砥礪奮斗、代代相傳，才有技術的快速迭代和大踏步前進。
可以看出，在競爭激烈的半導體行業(yè)，國營企業(yè)是能夠發(fā)揮長足的領導作用的，這與互聯(lián)網(wǎng)等模式創(chuàng)新行業(yè)有著本質(zhì)的不同。對于國營企業(yè)來說，只要經(jīng)營管理層和技術人才梯隊建設得當，知道目標市場在哪，采取適當?shù)牟呗�，便能關關難過關關過，帶領中國半導體工業(yè)補齊技術與市場的差距，扛起行業(yè)沖鋒的大旗。
其實，不僅僅是華潤微在功率半導體業(yè)發(fā)揮了國有企業(yè)的帶頭沖鋒角色，長江存儲在NAND flash存儲領域、合肥長鑫在DRAM存儲領域，都發(fā)揮了類似的角色。
在中國半導體工業(yè)面臨極限施壓與巨大差距需要追趕的當下，這些國有企業(yè)之所以能夠奮起追趕，與華晶及華潤微一脈相承而來的歷史傳承和人才積淀關系很大。上個世紀末建設六五工程和“908工程”的國家工程敘事，仍然在深刻地影響著中國半導體人的歷史記憶；未曾斷過的人才譜系一代代接力，為中國半導體工業(yè)向前發(fā)展添進了新鮮的燃料。 |
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